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赛普拉斯发布具有片上错误校正代码的异步SRAM

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2014-05-26 09:40 | 浏览次数 : 3279

静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,其具有错误校正代码(ECC)的16Mb快速异步SRAM 已开始出样。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水准的数据可靠性,而无需另外的错误校正芯片,从而简化设计并节省电路板空间。该器件可确保工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费电子和汽车等应用领域里的数据安全。

背景辐射造成的软错误可损坏存储内容,丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作,无需用户干预,因而具有业界最佳的软错误(SER)性能。 16Mb快速异步SRAM的存取时间可达到10-ns,而且与目前的异步SRAM管脚兼容,客户不必更改电路板设计即可提高系统可靠性。

赛普拉斯还推出了一款新的快速异步SRAM,其PowerSnooze™功能结合了快速异步SRAM10-ns的存取时间和与MoBL系列相当的超低待机功耗。PowerSnooze是一种额外的深度睡眠节能模式,对于16Mb的SRAM来说,其典型深睡眠电流可低至12 uA。具有PowerSnooze功能的16Mb快速SRAM也可提供片上ECC功能。

赛普拉斯异步SRAM事业部高级总监Sunil Thamaran说:“赛普拉斯是世界上无可争议的异步SRAM领导者,拥有超过30年的开发经验和业界最宽的产品线。我们具有ECC功能的新型16Mb 异步SRAM是可靠的单片存储解决方案,可用于高速和低功耗应用。我们具有ECC功能的SRAM品种还会增加。”

赛普拉斯的16Mb异步SRAM具有业界标准的x8, x16 和 x32配置。器件具有多种工作电压(1.8V, 3V和5V),工作温度范围为-40◦C 至 +85◦C(工业级)和-40◦C 至 +125◦C(汽车级)。

供货情况

全新16Mb快速SRAM 和具有PowerSnooze 功能的16Mb 快速SRAM目前已有样片,预计2014年7月份量产。这些器件以符合RoHS标准的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA 和54-pin TSOP II方式封装。


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