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Vishay发布采用热增强封装的150V N沟道MOSFET

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2014-05-12 09:47 | 浏览次数 : 3229

日前,Vishay 宣布,推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面积为2mm x 2mm,在10V下具有业内最低的导通电阻,可通过减少传导和开关损耗,在各种空间受限的应用中提高效率。


SiA446DJ适用于隔离式DC/DC转换器里的初级侧开关、LED背光里的升压转换器,以及以太网供电 (PoE) 的供电设备开关、电信DC/DC砖式电源和便携式电子设备里电源管理应用的同步整流和负载切换。对于这些应用,PowerPAK SC-70的占位比3mm x 2.8mm TSOP-6封装小55%,同时热阻低40%。


SiA446DJ采用ThunderFET? 技术制造,在10V、7.5V和6V下的最大导通电阻低至177mΩ、185mΩ和250mΩ。在10V下,器件的导通电阻比采用TSOP-6封装的前一代器件低53%,其典型导通电阻与栅极电荷的乘积即优值系数低54%,可提高效率。而且,SiA446DJ的导通电阻比最新的采用3mm x 2.7mm SOT-23封装的器件低26%。


SiA446DJ加上此前发布的PowerPAK SC-70封装的100V SiA416DJ和PowerPAK SC-75封装的100V SiB456DK,拓展了采用小尺寸、热增强封装的Vishay中压MOSFET的产品组合。器件进行了100%的RG和UIS测试,符合RoHS,无卤素。


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