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135-DMN26D0UFB4
- 型号 :
- DMN26D0UFB4
- 制造商 :
- Diodes Inc
- 批号 :
- 2014
- 简介 :
- 原装正品货
- PDF :
- 库存 :
- 111000 片
- 货期 :
- 现货
- 单价 :
-
1 - 100 : ¥ 0.0800 101 - 500 : ¥ 0.0720 501 - 1000 : ¥ 0.0704
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
|---|---|
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 14.1pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 3000 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时） | 230mA（Ta） |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 系列 | - |
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